3DA49 型晶体管
- 结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。
- 等级标记:Ⅱ类
- 主要用途:用于微波放大、振荡及其它电子设备中。
- 外形图:Q—1型
3DA49 型晶体管参数
序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规 范 值 |
3DA49A |
3DA49B |
3DA49E |
3DA49F |
共基极 |
共基极 |
共发射极 |
共发射极 |
1 |
PCM |
W |
TC=25℃ |
4.5 |
2 |
IC |
A |
|
0.8 |
3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
4 |
ICEO |
mA |
VCE=28V |
|
|
≤5 |
≤5 |
5 |
ICBO |
mA |
VCE=28V |
≤3 |
≤3 |
|
|
6 |
BVCBO |
V |
ICB=12mA |
≥40 |
≥40 |
|
|
7 |
BVCER |
V |
ICE=15mA,RBE=10Ω |
|
|
≥40 |
≥40 |
8 |
BVEBO |
V |
IEB=20mA |
≥3 |
≥3 |
≥3 |
≥3 |
9 |
VCE(sat) |
V |
IC=500mA,IB=70mA |
≤1.2 |
≤1.2 |
≤1.2 |
≤1.2 |
10 |
hFE |
|
VCE=5V,ICE=0.5A |
≥10 |
≥10 |
≥10 |
≥10 |
11 |
PO |
W |
VCE=28V,f=3GHz,Ic≈400mA |
≥2 |
≥3 |
|
|
VCE=24V, f=2GHz,Ic≈400mA |
|
|
≥3 |
≥2 |
12 |
GP |
dB |
VCE=28V,f=3GHz |
≥5 |
≥5 |
|
|
VCE=24V,f=2GHz |
|
|
≥4 |
≥4 |
3DA49 型晶体管封装尺寸图