3DA814 型晶体管
- 结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻的NPN硅平面外延超高频功率晶体管。
- 等级标记：Ⅲ类
- 主要用途：用于80系列低压民用电台末级功放。
3DA814 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 |
| 1 | Ptot | W | TC=25℃ | 26 |
| 2 | ICM | A | 8 | |
| 3 | TjM | ℃ | 175 | |
| 4 | ICEO | mA | VCE=12V | ≤3 |
| 5 | BV CBO | V | ICB=20mA | ≥36 |
| 6 | BVCEO | V | ICE=20mA | ≥18 |
| 7 | BVEBO | V | IEB=20mA | ≥3 |
| 8 | VCE(sat) | V | IC=2.5A，IB=0.5A | ≤1 |
| 9 | hFE | VC=5V，IC=2A | ≥10 | |
| 10 | PO | W | f=200MHz，VC=12.5V，Pi=5W | ≥20 |
| 11 | GP | dB | ≥6 |
3DA814 型晶体管封装尺寸图
