3DA831A,3DA831B 型晶体管
- 结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻，内匹配电容，NPN硅平面外延超高频功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：适用于雷达发射机及各种通讯设备中作末级功放。
- 外 形 图：QF-3型
3DA831A,3DA831B 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 | |
| 3DA831A | 3DA831B | ||||
| 1 | Ptot | W | TC=25℃ | 100 | |
| 2 | ICM | A | 15 | ||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | ||
| 4 | ICBO | mA | VCB=28V | ≤5 | |
| 5 | V(BR)CBO | V | ICB=50mA | ≥50 | |
| 6 | V(BR)CEO | V | ICE=50mA | ≥30 | |
| 7 | V(BR)EBO | V | IEB=50mA | ≥3 | |
| 8 | VCE(sat) | V | IC=8A，IB=1.6A | ≤1.5 | |
| 9 | hFE | VC=5V，IC=6A | ≥8 | ||
| 10 | PO | W | f=400MHz，VCE=28V，☆Pi=35W，Pi=40W | ☆≥100 | ≥100 |
| 11 | GP | dB | ☆≥4.5 | ≥4 | |
3DA831A,3DA831B 型晶体管封装尺寸图
