3DG90 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面微波功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：用于微波放大、振荡及其它电子设备中。
- 外 形 图：Q—1型
3DG90 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 | ||
| 3DG90 | 3DG90E | 3DG90C | ||||
| 1 | PCM | W | TC=70℃ | 0.45 | ||
| 2 | IC | A | 0.1 | |||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | |||
| 4 | ICBO | mA | VCB=28V | ≤1 | ||
| 5 | ICEO | mA | VCE=28V | ≤1.5 | ≤1.5 | |
| 6 | V(BR)CBO | V | ICB=2mA | ≥40 | ||
| 7 | V(BR)CER | V | ICE=3mA，RBE=10Ω | ≥40 | ≥40 | |
| 8 | V(BR)EBO | V | IEB=5mA | ≥2 | ≥2 | ≥2 |
| 9 | VCE(sat) | V | IC=150mA，IB=30mA | ≤1.2 | ≤1.2 | ≤1.2 |
| 10 | hFE | VCE=5V，ICE=60mA | ≥8 | ≥8 | ≥8 | |
| 11 | POSC | W | f=2GHz，VCE=24V | ≥0.1 | ||
| 12 | PO | W | f=3GHz，VCE=28V | ≥0.3 | ||
| W | f=2GHz，VCE=24V | ≥0.3 | ||||
| 13 | GP | dB | f=2GHz，VCE=24V | ≥6 | ||
| f=3GHz，VCE=28V | ≥6 | |||||
3DG90 型晶体管封装尺寸图
