3DG91 型晶体管

3DG91 型晶体管参数
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
3DG91A 3DG91B
1 PCM W  TA≤28℃ 0.45
2 IC mA   150
3 TjM  ℃   175
4 ICEO μA VCE=10V ≤20 ≤20
5 V(BR)CBO V ICB=1mA ≥40 ≥50
6 V(BR)CEO V ICE=1mA ≥25 ≥35
7 V(BR)EBO V IEB=0.2mA ≥4  ≥4
8 VCE(sat) V IC=0.1A,IB=0.02A ≤0.5 ≤0.5
9 hFE   VCE=5V,IC=30mA 15~200 15~120
10 fT MHz  VCE=10V,IC=30mA,f=400MHz ≥800 ≥800
11 PO W VCE=24V,Pi=0.03W,f=400MHz ≥0.3 ≥0.3
12 Gp dB ≥10 ≥10
金属封装硅高频中功率晶体管hFE分档表  
hFE 15~40 40~80 80~120 120~200
色标 绿

3DG91 型晶体管封装尺寸图

3DG91 型晶体管封装尺寸图