RD45HMF1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W

RD45HMF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for 900MHz-band High power amplifiers applications.

技术特性 Features
  • High power and High Gain:
    Pout>45W, Gp>4.7dB @Vdd=12.5V,f=900MHz
  • High Efficiency: 50%typ.
应用领域 APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in 800-900MHz Band mobile radio sets.

订购信息 Ordering Information
  • RD45HMF1
外观尺寸图 Outline Drawing

RD45HMF1 外观尺寸图


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