LTC4413 - 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管

LTC®4413 包含两个单片式理想二极管，各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流将小于 40μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压，则 MOSFET 被关断，且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A，而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413 内含的两个理想二极管，从而控制操作模式 (如表 1 所述)。当选定通道被反向偏压，或者 LTC4413 被置于低功率待机状态时，一个状态信号将利用一个低电压来指示该条件。一个 9μA 漏极开路 STAT 引脚用于指示传导状态。当通过一个 470k 电阻器终接至一个正电源时，STAT 引脚可用来指示选定的二极管在高电压处于传导状态。该信号可用来驱动一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关，以在 LTC4413 不传导正向电流时控制第三个交流电源。 LTC4413 采用 10 引脚 DFN 封装。

特点

两通道理想二极管 “或” 或负载均分
“或” 二极管的低损耗型替代方案
低正向接通电阻 (在 3.6V 电压条件下的最大值为 100mΩ)
低反向漏电流 (最大值为 1μA)
小的已调正向电压 (典型值为 28mV)
2.5V 至 5.5V 工作电压范围
2.6A 最大正向电流
内部电流限制和热保护
缓慢接通 / 关断用于防止器件遭受由电感性源阻抗感生的电压尖峰的损坏
超低静态电流消耗 (LTC4413-1 的低功率替代方案)
用于在选定通道导通时发出指示信号的状态输出
可编程通道接通 / 关断操作
扁平 (高度仅为 0.75mm) 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装

典型应用

应用

手持式产品中的电池和墙上适配器二极管 “或”
后备电池二极管“或”
电源转换
USB 外设
不可间断的电源

封装信息

**Order Information 订购型号**
器件型号	封装	温度	价格 (以 1 ~ 99 片为批量)	价格 (以 1000 片为批量) *
LTC4413EDD#PBF	3x3 DFN-10	E	$3.07	$2.15
LTC4413EDD#TRPBF	3x3 DFN-10	E		$2.25

演示电路板


器件型号	描述	价格
DC839A	LTC4413EDD \| Dual Ideal Diode-Triple Power Path Controller, Vin = 2.5-5.5V, Vout = 2.5-5.5V@2.6A MAX	$100.00