HMC263-Die 低噪声放大器芯片，24 - 36 GHz

毫米波点对点无线电 LMDS  VSAT  SATCOM

HMC263芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至36 GHz。 由于尺寸较小(3.29 mm²)，该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成，采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供22 dB增益，噪声系数为2 dB。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度为0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 HMC263可配合HMC264或HMC265混频器使用，以实现毫米波系统接收机。

应用

产品特点和性能优势
  • 出色的噪声系数： 2 dB
  • 增益： 22 dB
  • 单电源： +3V (58 mA)
  • 小尺寸： 2.48 x 1.33 x 0.1 mm
    • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC263 Die DatasheetPDF 596.14 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC263 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至55.1344.66Y
    HMC263-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC263 Die Datasheet hmc263-die
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC263 Die S-Parameters hmc263-die
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
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