HMC263LP4E 低噪声放大器,采用SMT封装,24 - 36 GHz

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为2.2 dB。HMC263LP4E可配合HMC264LC3B或HMC265LM3混频器使用,以实现毫米波系统接收机。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,无需外部元件。

应用
  • 毫米波点对点无线电
  • LMDS
  • VSAT
  • SATCOM
产品特点和性能优势
  • 低噪声系数: 2.2 dB
  • 高增益: 20 dB
  • 单正电源: +3V或+5V
  • 隔直RF I/O
  • 无需外部匹配
  • 24引脚4x4mm QFN封装: 16mm²
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC263LP4E DatasheetPDF 692.77 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC263LP4E 量产HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep)OTH 50-55 至 85至45.236.61Y
    HMC263LP4ETR 量产HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep)REEL 500-55 至 85至45.236.61Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    123965-HMC263LP4EEvaluation Board - HMC263LP4E Evaluation PCB-1Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC263LP4E Datasheet hmc263lp4e
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC263LP4 S-Parameters hmc263lp4e
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    Package/Assembly Qualification Test Report: LP4, LP4B, LP4C, LP4K (QTR:... hmc349alp4ce
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    4 x 4 mm QFN Tape Specification (LP4, LP4B, LP4C, LC4, LC4B) hmc641alp4e