HMC341-Die 低噪声放大器芯片,24 - 30 GHz

HMC341芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至30 GHz。 由于尺寸较小(1.51 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3V (30 mA)单个偏置电源时提供13 dB增益,噪声系数为2.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。

应用
  • 毫米波点对点无线电
  • LMDS
  • VSAT 和SATCOM
产品特点和性能优势
  • 出色的噪声系数: 2.5 dB
  • 增益: 13 dB
  • 单电源: +3V (30 mA)
  • 小尺寸: 1.42 x 1.06 x 0.1 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC341 Die DatasheetPDF 583.55 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC341 量产CHIPS OR DIEOTH 5040.9933.2Y
    HMC341-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 200Y
    参考资料
    HMC341 Die Datasheet hmc341-die
    HMC341 Die S-Parameters hmc341-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e