HMC342-Die 低噪声放大器芯片，13 - 25 GHz

HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²)，该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成，采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益，噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。

应用
  • 微波点对点无线电
  • 毫米波点对点无线电
  • VSAT 和 SATCOM
产品特点和性能优势
  • 噪声系数： 3.5 dB
  • 增益： 20 dB
  • 单电源： +3V (36 mA)
  • 小尺寸： 1.06 x 2.02 mm
    • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC342 Die Data SheetPDF 584.9 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC342 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至33.5427.17Y
    HMC342-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC342 Die Data Sheet hmc342-die
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC342 Die S-Parameters hmc342-die
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
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