HMC435A SPDT非反射式开关，DC - 4 GHz
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
应用
产品特点和性能优势- 高隔离度：
62 dB（1 GHz时）
52 dB（2 GHz时） - 正控制： 0/+5V
- 输入IP3： 54 dBm
- 非反射式设计
- 超小型MSOP-86封装：
- 14.8 mm2
| S参数 |
数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|
| HMC435AMS8G 量产 | EXPOSSED PAD SOIC | OTH 50 | -40 至 85至 | 0 | 0 | N |
| HMC435AMS8GE 量产 | 8 ld MSOP_EP | OTH 50 | -40 至 85至 | 1.69 | 1.14 | Y |
| HMC435AMS8GETR 量产 | 8 ld MSOP_EP | REEL 500 | -40 至 85至 | 1.69 | 1.14 | Y |
| HMC435AMS8GTR 量产 | EXPOSSED PAD SOIC | REEL 500 | -40 至 85至 | 0 | 0 | N |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
|---|
| 105143-HMC435AMS8G | Evaluation Board - HMC435AMS8G Evaluation Board | 109.99 | Y |
参考资料
