HMC519-Die 低噪声放大器芯片，18 - 32 GHz

HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片，工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小，该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。

应用

产品特点和性能优势
  • 噪声系数： 2.8 dB
  • 增益： 15 dB
  • OIP3: 23 dBm
  • 单电源： +3V (65 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸： 2.27 x 1.32 x 0.1 mm
    • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC519 Die Data SheetsPDF 621.29 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC519 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至49.2740.72Y
    HMC519-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC519 Die Data Sheets hmc519-die
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC519 Die S-Parameters hmc519-die
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
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