HMC903LP3E 低噪声放大器,采用SMT封装,6 - 17 GHz

HMC903LP3E是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器,采用无铅3x3 mm塑料表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为6至17 GHz,提供18 dB的小信号增益,1.7 dB的噪声系数,+25 dBm的输出IP3,采用+3.5 V电源时功耗仅为80 mA。 +14 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC903LP3E还具有隔直I/O,内部匹配50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电或VSAT应用。

应用
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • 军事和太空
  • 测试仪器仪表
产品特点和性能优势
  • 低噪声系数: 1.7 dB
  • 高增益: 18 dB
  • P1dB输出功率: 14 dBm
  • 电源电压: +3.5 V (80 mA)
  • 输出IP3: +25 dBm
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 16引脚3x3mm SMT封装: 9mm²
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC903LP3E Data SheetPDF 751.14 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC903LP3E 量产16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)OTH 50-55 至 85至20.9518.44Y
    HMC903LP3ETR 量产16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)REEL 500-55 至 85至20.9518.44Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    129798-HMC903LP3EEvaluation Board – HMC903LP3E Evaluation PCB605.6Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC903LP3E Data Sheet hmc903lp3e
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC903LP3E S-Parameters hmc903lp3e
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    Package/Assembly Qualification Test Report: LP2, LP2C, LP3, LP3B, LP3C,... hmc344
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    LP3, LC3, LC3B Tape and Reel Outline Dimensions hmc344