该 N 沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道 MOSFET 技术制作。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 该产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、逻辑电平转换器、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。
第二行SL&E (空间) &G (每周日期代码)
