BSS138_F085: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。这些产品特别适合于小型伺服电动机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。
特性
- 0.22 A、50 V
RDS(ON) = 3.5Ω (VGS = 10 V);RDS(ON) = 6.0Ω (VGS = 4.5 V)
- 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
- 坚固而可靠
- 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装
Ordering Code产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
---|
BSS138_F085 | 量产
符合 RoHS 标准截至2006年2月27日
中国 RoHS | $0.0523 | SOT-23 3L
-
1.2 x 2.92 x 1.3mm,
卷带 | 第一行&Y (二进制历年编码)
第二行SS&E (空间) &G (每周日期代码)
|