BSS84: P沟道增强模式场效应晶体管

该 P 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这一密度非常高的工艺可最大限度地降低通态电阻，从而提供稳固和可靠的性能以及快速开关。 BSS84 在要求直流电流达 0.13 A 的多数应用中可轻松使用，并且可提供高达 0.52A 的电流。该产品特别适合需要低电流高端开关的低电压应用。

特性

• BSS84：-0.13 A，-50 V。 R_DS(ON) = 10 Ω （V_GS = -5 V 时）
• 电压控制 P 沟道小信号开关
• 高密度单元设计，实现低 _RDS(ON)
• 高饱和电流。

Application Notes