FCPF36N60NT: N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 36A, 90mΩ

SupreMOS MOSFET 是 Fairchild 新一代高压超级结 MOSFET，它采用了深度沟道填充工艺，与先前基于多 EPI 的技术相比，具有很大的优势。SupreMOS利用该高级技术和精确的工艺控制，提供了世界一流的RSP、超级开关性能和坚固性。该 SupreMOS MOSFET 可满足业界 AC-DC SMPS 对 PFC、服务器/通信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用的要求。

特性

• R_DS(on) = 81mΩ（典型值）@ V_GS = 10 V，I_D = 18 A
• 超低栅极电荷（典型值Qg = 86nC）
• 低效输出电容
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes