FDC30N20DZ: 30 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该 N 通道 MOSFET 使用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。

特性

• 最大 r_DS(on) = 31 mΩ，（V_GS = 10 V、I_D = 4.6 A
  
• 最大 r_DS(on) = 38 mΩ，（V_GS = 4.5 V、I_D = 4.2 A
  
• 高性能 Trench® 技术，可实现极低的 r_DS(on)
  
• 快速开关速度
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 典型 CDM ESD 保护等级 > 2.0 kV ( 备注5)
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes