FDC608PZ: -20V P沟道2.5V PowerTrench®额定MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。     这些器件非常适合电池供电应用： 负载开关和功率管理、电池电源电路和DC/DC转换。

特性

• -5.8A, -20V, R_DS(on) = 30mΩ @ V_GS = -4.5V R_DS(on) = 43mΩ @ V_GS = -2.5V
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• SuperSOT^™ ¨C6封装： 小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）

Application Notes