FDC6302P: 数字FET、双P沟道

这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件专为低电压应用设计，以替代负载开关应用中的数字晶体管。 由于不需要偏置电阻，该P沟道FET能替代一些具有不同偏置电阻的数字晶体管，如IMBxA系列。

特性

• -25V、-0.12A（连续值）、-0.5A（峰值）
  
• RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V
  
• RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V
  
• 栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V
  
• 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
  
• 用一个DMOS FET替代多个PNP数字晶体管（IMHxA系列）
  

Application Notes