FDC6318P: 双P沟道1.8V PowerTrench MOSFET

这些P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性

• -2.5A，-12V。 R_DS(ON) = 90mΩ @ V_GS = -4.5V R_DS(ON) = 125mΩ @ V_GS = -2.5V R_DS(ON) = 200mΩ @ V_GS = -1.8V
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）

Application Notes