FDC638P: 单P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合电池供电应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

特性

• –4.5 A, –20 V.R_DS(ON) = 48 mΩ @ V_GS = –4.5 V
  R_DS(ON) = 65 mΩ @ V_GS = –2.5 V
  
• 低栅极电荷（10 nC，典型值）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(on)
  
• SuperSOT ™ –6 封装：小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
  

Application Notes