FDC653N: N沟道增强模型场效应晶体管

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性

• 5 A，30 V
  
• RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V
  
• RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V
  
• 专有SuperSOT^TM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
  
• 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
  
• 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
  

Application Notes