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FDC654P: P沟道增强模式场效应晶体管
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDC654P.pdf
特性
-3.6 A,-30 V
R
DS(ON)
= 75 mΩ @ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 125 mΩ @ V
GS
= -4.5 V
低栅极电荷(6.2nC,典型值)
高性能沟道技术可实现极低的r
DS(on)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDC654P
量产 绿色:截至2011年7月 中国 RoHS
$0.0886
SSOT 6L - 0.97 x 4.22 x 1.6mm, 卷带
SSOT 6L 示意图
最后更新: 2017年2月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
&.
(引脚 1)
654
&G
(每周日期代码)
Application Notes
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AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
FDC654P.pdf
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Last Update : 09-Sep-2013
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Last Update : 03-Mar-2011
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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Last Update: Feb 2017
SOT Tape and Reel Packing Drawing
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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