FDD1600N10ALZD: BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管是超高速整流器，具有低正向电压降和卓越的开关性能。

特性

• R_DS(on) = 124 mΩ（典型值）@ V_GS = 10 V，I_D = 3.4 A
• R_DS(on) = 175 mΩ（典型值）@ V_GS = 5.0 V，I_D = 2.1 A
• 低栅极电荷（典型值 2.78 nC）
• 低 C_rss（典型值2.04 pF)
• 快速开关
• 100%经过雪崩测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 符合 RoHS 标准

Application Notes