FDD3706: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化，采用小型封装。

特性

• -50 A，-20V。
  
• R_DS(ON) = 9 mΩ @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 11 mΩ @ V_GS = 4.5 V
  
• R_DS(ON) = 16 mΩ（V_GS = -2.5V
  ）
• 低栅极电荷（16nC，典型值）
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  

Application Notes