FDD8778: 25V N沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDD8778: 25V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDD8778.pdf

特性

V_GS = 10V，I_D = 35A时，最大r_DS(on) = 14.0 mΩ
最大r_DS(on) 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低r_DS(ON) 和高速开关进行了优化。 = 21.0m? V_GS= 4.5V，I_D = 33A时
低栅极电荷： Q_g(TOT) = 12.6nC（典型值），V_GS = 10V
低栅极电阻
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDD8778	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.1882	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDD 第三行8778

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDD8778.pdf














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