FDFMA2N028Z: 20V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 它采用具有低通态电阻的MOSFET，以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管。

MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能，非常适用于开关和线性模式应用。

特性

• MOSFET
  
• 最大r_DS(on) = 68mΩ at V_GS = 4.5V, I_D = 3.7A
  
• 最大 r_DS(on) = 86mΩ at V_GS = 2.5V, I_D = 3.3A
  
• HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
  肖特基
  
• V_F < 0.37V (500mA)
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封装
  
• 符合 RoHS 标准