FDG327N: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性

• 1.5 A，20 V
  
• R_DS(on) = 90 mΩ@ V_GS = 4.5 V
  
• R_DS(on) = 100 mΩ @ V_GS = -2.5V
  
• R_DS(on) = 140 mΩ @ V_GS = -1.8V
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力。
  

Application Notes