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FDG330P: P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDG330P.pdf
特性
-2 A,-12V
R
DS(ON)
= 110 mΩ @ V
GS
= 4.5V
R
DS(ON)
= 150 mΩ @ V
GS
= 2.5V
R
DS(ON)
= 215 mΩ @ V
GS
= 1.8V
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的r
DS(on)
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDG330P
量产 绿色:截至2010年12月 中国 RoHS
$0.1103
SC70 6L - 1.1 x 1.25 x 2mm, 卷带
SC70 6L 示意图
最后更新: 2015年8月
SC70-6L T&R PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&Y
(二进制历年编码)
第二行
&.
(引脚 1)
30
&G
(每周日期代码)
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
最后更新 : 2016年3月29日
AN-7515
AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
最后更新 : 2011年3月05日
AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
FDG330P.pdf
MOSFET Basics
Last Update : 09-Sep-2013
A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline
Last Update : 05-Mar-2011
SC70 6L Drawing
Last Update: Aug 2015
SC70-6L T&R PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOT Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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