FDG410NZ: 20V单N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的rDS(on)和栅极电荷(Qg)。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 2.2 A时，最大r_DS(on) = 70mΩ
  
• V_GS = 2.5 V，I_D = 2.0 A_{时，最大r}DS(on)
  = 77 mΩ
• V_GS = 1.8 V，I_D = 1.8 A_{时，最大r}DS(on)
  = 87 mΩ
• V_GS = 1.5 V，I_D = 1.5 A_{时，最大r}DS(on)
  = 115 mΩ
• HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 快速开关速度
  
• 低栅极电荷
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes