FDG6308P: 双P沟道1.8V规格PowerTrench® MOSFET

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性

• -0.6 A、-20 V。
  
• R_DS(ON)= 0.40Ω @ VGS = –4.5 V
  
• R_DS(ON) = 0.55Ω @ VGS = –2.5 V
  
• R_DS(ON) = 0.80Ω @ VGS = –1.8 V
  
• 低栅极电荷
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
  

Application Notes