FDG6316P: P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的低压PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性

• -0.7 A，-12 V。
• R_DS(ON) = 270 mΩ @ V_GS = -4.5 V
• R_DS(ON) = 360 mΩ @ V_GS = -2.5 V
• R_DS(ON) = 650 mΩ @ V_GS = 1.8 V
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

Application Notes