FDG6318P: 双P沟道数字FET

这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。

特性

• -0.5A，-20V
• R_DS(ON) = 780 mΩ @ V_GS = -4.5V
• R_DS(ON) = 1200 mΩ @ V_GS = -2.5V
• 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(V_GS(th)< 1.5 V)
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

Application Notes