FDM3622: 100V N沟道UltraFET沟道MOSFET

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性

• 最大 r_DS(on) = 60 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 4.4 A
  ）
• 最大 r_DS(on) = 80 mΩ（V_GS = 6.0 V、I_D = 3.8 A
  ）
• 低密勒电荷
  
• 低 Q_RR体二极管
  
• 优化高频率时的效率
  
• UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）以前的开发类型 82744
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes