FDMA430NZ: 30V单N沟道2.5V额定PowerTrench ®MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMA430NZ: 30V单N沟道2.5V额定PowerTrench ®MOSFET

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 2.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

**数据手册DataSheet**
FDMA430NZ.pdf

特性

R_DS(on) = 40mΩ @ V_GS = 4.5 V，I_D = 5.0A
R_DS(on) = 50mΩ@ V_GS = 2.5 V，I_D = 4.5A
薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
HBM ESD保护电平> 2.5kV典型值（注3）
不含有卤化合物和氧化锑
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMA430NZ	量产绿色：截至2006年12月中国 RoHS	$0.3035	MLP 2x2 6L (MicroFET) - 0.8 x 2 x 2mm, 卷带 MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图最后更新: 2015年1月 MLP06 Packing Drawing 最后更新: 2015年10月 MLP6L 2.0x2.0, Packing Drawing 最后更新: 2016年1月	第一行&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行430

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9053 Assembly Guidelines for MicroFET 2X2 Packaging 最后更新 : 2014年6月28日

AN-9055 Assembly Guidelines for MicroFET™ 2x2 Dual Packaging 最后更新 : 2011年4月08日

Datasheet: FDMA430NZ.pdf















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