FDMB2308PZ: -20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 它包含两个共用漏极P沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2308PZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。

特性

• 最大值 r_S1S2(on) = 36 mΩ（V_GS = -4.5 V且I_D = -5.7 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 50 mΩ（V_GS = -2.5 V且I_D = -4.6 A
  时）
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
  
• HBM静电放电保护等级为2.8kV（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes