FDMC5614P: -60V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的电源管理应用进行了优化。

特性

• V_GS= -10 V，I_D = -5.7A时，最大r_DS(on) = 100mΩ
  
• V_GS = -4.5 V，I_D = -4.4A时，最大r_DS(on) = 135mΩ
  
• 低栅极电荷
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes