FDMC612PZ: -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 8.4 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -14 A
  
• 最大 r_DS(on) = 13 mΩ（V_GS = -2.5 V、I_D = -11 A
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  
• HBM ESD 能力电平> 3.6 KV 典型值（注 4）
  

Application Notes