FDMC6675BZ: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

FDMC6675BZ已针对在负载开关应用中损耗最小化进行了设计。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性

• V_GS = -10 V，I_D = -9.5 A时，最大r_DS(on) = 14.4mΩ
  
• V_GS = -4.5 V，I_D = -6.9 A时，最大r_DS(on) = 27.0mΩ
  
• HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）
  
• 扩展V_GSS范围(-25 V)，适合电池应用
  
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 终端无引线且符合RoHS标准
  

Application Notes