FDMC7660DC: N 沟道 Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• Dual CoolÞ 顶侧冷却 PQFN 封装
  
• 最大 r_DS(on) = 2.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 22 A
  ）
• V_GS = 4.5 V，I_D = 18 A_{时，Max r}DS(on)
  = 3.3 mΩ
• 极低 r_DS(on)
  的高性能技术
• 终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
  

Application Notes