FDMC8360L: 40 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
• r_DS(on)最大值 = 2.1 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 27 A）
• r_DS(on)最大值 = 3.1 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 22 A）
• 高性能技术可实现极低的 r_DS(on)
• 终端为无铅产品
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes