FDMC86160: 100V N沟道Power Trench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用，例如高性能 VRM、POL和 Oring 功能。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  
• V_GS = 10V，I_D = 9 A时，最大r_DS(on) = 14mΩ
  
• 最大 r_DS(on) = 23 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 7 A
  ）
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
  

Application Notes