FDMC86240: 150V N沟道Power Trench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 r_DS(on) = 51 mΩ（V_GS=10 V、I_D=4.6 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 70 mΩ（V_GS=6 V、I_D=3.9 A 时）
  
• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes