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FDMC86265P: -150 P 沟道 PowerTrench® MOSFET
此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产,工艺经过优化,可实现最低通态电阻,同时仍保持卓越的开关性能。
数据手册DataSheet
FDMC86265P.pdf
特性
最大 r
DS(on)
= 1.2 Ω(需 VGS = -10 V、ID = -1 A
最大 r
DS(on)
= 1.4 Ω(需 VGS = -6 V、ID = -0.9 A
中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低,非常适用于 Qg 较低的情况
本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMC86265P
量产 绿色:截至2013年12月 中国 RoHS
$0.6936
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) - 0.8 x 3.3 x 3.3mm, 卷带
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
最后更新: 2014年5月
MLP08S Packing Drawing
最后更新: 2016年1月
MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
最后更新: 2016年1月
MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDMC
第三行
86265P
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FDMC86265P.pdf
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MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) Drawing
Last Update: May 2014
MLP08S Packing Drawing
Last Update: Jan 2016
MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
Last Update: Jan 2016
MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
Last Update: Sep 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
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