FDMC86340: 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 Power Trench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• r_DS(on)最大值 = 6.5 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 14 A
• r_DS(on)最大值 = 8.5 mΩ（V_GS = 8 V、I_D = 12 A
• 高性能技术可实现极低的 r_DS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准

Application Notes