FDMD82100L: 100 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个 100 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性

• 最大 r_DS(on)=19.5 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 7 A
• 最大 r_DS(on)=30 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 5.7 A
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

Application Notes