FDME1034CZT: 20V互补PowerTrench® MOSFET

该器件专为设计作为单封装解决方案，适用于手机和其他移动应用中的DC/DC开关MOSEFT。 该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低，以允许从控制器件直接实现高频率开关。

MicroFET™     1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 66mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 3.4A
  
• 最大值 R_DS(on) = 86mΩ（V_GS = 2.5V，I_D = 2.9A
  
• 最大值 R_DS(on) = 113mΩ（V_GS = 1.8V，I_D = 2.5A
  
• 最大值 R_DS(on) = 160mΩ（V_GS = 1.5V，I_D = 2.1A
  
• 最大值 R_DS(on) = 142mΩ（V_GS = -4.5V，I_D = -2.3A
  
• 最大值 R_DS(on) = 213mΩ（V_GS = -2.5V，I_D = -1.8A
  
• 最大值 R_DS(on) = 331mΩ（V_GS = -1.8V，I_D = -1.5A
  
• 最大值 R_DS(on) = 530mΩ（V_GS = -1.5V，I_D = -1.2A
  
• 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• HBM ESD保护电平>1600V（参考数据表3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes