FDME410NZT: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET

该单 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench 工艺设计而成，用于优化 VGS = 1.5 V 时专用 MicroFET 引线框上的 rDS(on)。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 7 A_{时，最大r}DS(on)
  = 26mΩ
• 最大值 r_DS(on) = 31 mΩ（V_GS = 2.5 V, I_D = 6 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 39 mΩ（V_GS = 1.8 V, I_D= 5 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 53 mΩ（V_GS = 1.5 V, I_D = 4A
  ）
• 薄型：0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM 静电放电保护等级为>1800V（注 3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes